MOSAID公布新一代HLNAND2闪存-资讯电热片

MOSAID公布新一代HLNAND2闪存-资讯 MOSAID Technologies公司今天发布了HLNAND(TM)2，其创新性HLNAND(HyperLink NAND)闪存架构和接口取得了关键突破。HLNAND2针对海量存储学习机应用，包括企业数据中心和高性能计算应用进行了优化，是第一个可使设计人员能够轻松获得每秒GB性能和TB级存储容量固态硬盘(SSD)的NAND闪存接口。

MOSAID的HLNAND(HyperLink NAND)闪存规格2采用了高速、点对点环形拓扑结构，将固态硬盘数据传输速率提高到每秒数GB范围。HLNAND2支持每通道最高800MB/秒的原始数据速率和贴片ic基于DuplexRW(TM)的每通道1600MB/秒数据传输速率，只需要一个内存通道就可使主机刨铣床接口传输速率超过1GB/秒。相比之下，基于并行总线结构的NAND闪存接口传输速率最高为200MB/秒，而且只有少数设备每电瓶叉车个通道都支持。

HLNAND的点对点接口降低了负荷，创造了非常干净的产生信号的环境，使开发者能开发有TB级容量的固态硬盘，同时不会降低数据速率。HLNAND的环形拓扑结构还消除了内核端接功耗高这一困扰各种并行总线闪存的问题。

MOSAID研发副总裁Jin-Ki Kim表示：“固态硬盘利用HLNAND2接口架构，可实现无与伦比的性能和灵活性。我们预计在2防尘面罩011年晚些时候发布HLNAND2工程样品，使HLNAND2进入到大量的要求更高性能和可扩展性的闪存应用设计中。”

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